2025年的IEEE国际存储器研讨会（IMW）是半导体存储器技术研发的国际会议即将隆重召开。届时，将会有很多领先的存储技术发布。

据介绍，Kioxia 将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。相信这可以解释为什么通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列的CBA结构在位线布局方面具有优势。

三星则描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。美光公司模拟了椭圆度（想象“孔形”）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响。在最新的研究中，人们尝试通过将通道孔的横截面形状制成椭圆形或半圆形而不是圆形来提高密度。这些声明被视为这一努力的一部分。

旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于3D堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，以使1,000层和超多层3D NAND的字线驱动器小型化。三星将报告第 9 代 3D VNAND 闪存的片上电容器技术。该公司还将展示其为未来多位 3D VNAND 开发的双陷阱层技术成果。

SanDisk Technologies 将展示用于 3D Flash 的低成本 on-pitch 选择栅极技术。应用材料公司将报告将共形 MoS2（二硫化钼）引入 40:1 高深宽比结构及其在 300 毫米晶圆上的 3D NAND 闪存制造中的应用。

此外，MXIC 将报告由两个 SONOS 晶体管组成的单元的“L2 范数/欧几里得距离”计算的特性结果。对单元电池和单元阵列的特性进行了评估。

Lam Research 则通过共同优化沉积和蚀刻，实现了 3D NAND 闪存的孔蚀刻和层间电介质接触的集成。该公司还将报告用于闪存中字线金属的钼（Mo）原子层沉积（ALD）技术。

同时MXIC 将讲解一种提高具有交叉点结构的仅选择器存储器可靠性的技术，该公司将讨论减轻尖峰电流和提高读取寿命。 Everspin Technologies 将展示一种基于 STT-MRAM 的反熔丝宏，旨在嵌入存储器、SoC、FPGA 等。

东北大学开发出一种自旋轨道扭矩磁随机存取存储器（SOT-MRAM）单元技术，该技术需要的写入能量很低，不需要外部磁场，写入时间短至亚纳秒。适用于非易失性存储器。我们还讨论了倾斜自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术。

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